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224 / 2017-11-21 21:59:08
Influence of Parasitic Capacitance on Transient Current Distribution in Paralleled SiC MOSFETs
SiC MOSFET,parasitic capacitance,spread,current distribution,parallel connection
全体主题 > Device characterization and modeling
终稿
Junji Ke / North China Electric Power University
Huazhen Huang / North China Electric Power University
Peng Sun / North China Electric Power University
James Abuogo / North China Electric Power University
Zhibin Zhao / North China Electric Power University
Xiang Cui / North China Electric Power University
重要日期

  • 会议日期

    05月17日

    2018

    至

    05月19日

    2018

  • 12月08日 2017

    摘要截稿日期

  • 01月30日 2018

    摘要录用通知日期

  • 02月10日 2018

    初稿截稿日期

  • 02月10日 2018

    终稿截稿日期

  • 05月19日 2018

    注册截止日期

主办单位
IEEE
IEEE ELECTRONIC DEVICE SOCIETY
IEEE POWER ELECTRONIC SOCIETY
中国电源学会
中国半导体产业创新联盟
承办单位
西安交通大学
西安电子科技大学
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