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原子层沉积制备新型薄膜材料

原子层沉积,硫化物

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原子层沉积（ALD）技术是一种气相薄膜沉积技术，它利用饱和自限性的表面化学反应，使薄膜材料在原子层尺度上逐层可控生长。ALD技术的主要特色在于可对复杂多孔三维结构实现均匀保形的薄膜包覆，因而被应用在越来越多的纳米材料设计和制备中。但是，目前ALD技术所能实现的材料种类还有一定的局限性，尤其在铁钴镍硫化物方面，相关的研究还比较初步。
在本报告中，作者将主要汇报近年来课题组在ALD新材料与新工艺研究方面的工作进展，包括研发新型ALD工艺制备铁钴镍硫化物、碳化物等薄膜材料，基于原位XPS技术的ALD薄膜生长原位机理研究，以及所制ALD薄膜在电催化、电子器件等领域的应用[1-8]。

参考文献：
[1] R. Zhao, X. Wang*, Chem. Mater. 31, 445 (2019).
[2] R. Zhao, S. Xiao, S. Yang, X. Wang*, Chem. Mater. 31, 5172 (2019).
[3] Z. Guo, X. Wang*, Angew. Chem. Int. Ed. 57, 5898 (2018).
[4] Y Shao, Z Guo, H Li, Y Su, X. Wang*, Angew. Chem. Int. Ed. 56, 3226 (2017)
[5] W. Xiong, Z. Guo, H. Li, R. Zhao, X. Wang*, ACS Energy Lett. 2, 2778 (2017).
[6] H. Li, Z. Guo, X. Wang*, J. Mater. Chem. A 5, 21353 (2017).
[7] H. Li, Y. Shao, Y. Su, Y. Gao, X. Wang*, Chem. Mater. 28, 1155 (2016).
[8] H. Li, Y. Gao, Y. Shao, Y. Su, X. Wang*, Nano Lett. 15, 6689 (2015).