摘要清单
我的稿件128
The effect of disorder on ground state coherence in a polarized annular triple-well终稿
宇轩 王*
Microelectronic Devices and Materials > Physics and Simulation of Optoelectronic Devices
124
Quantum tunneling and Floquet enerrgy in the Non-Hermitian Bose-Hubbard model终稿
Ye Haisheng*
Microelectronic Devices and Materials > Physics and Simulation of Optoelectronic Devices
64
Comparison of I-V Curves between Unidirectional SPAD and Bi-directional SPAD in Generalized Memristive Characteristics全文录用
Hao Jianxiu, Jin Xiangliang*
Microelectronic Devices and Materials > Physics and Simulation of Optoelectronic Devices
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重要日期
-
会议日期
07月10日
2021
至07月12日
2021
-
05月10日 2021
初稿截稿日期
-
07月06日 2021
注册截止日期
主办单位
长沙理工大学
协办单位
IEEE Electron Devices Society
IEEE
IEEE
联系方式
- Dr. WanghuiZou
- zo******@csust.edu.cn
- 135********
历届会议
-
2018年05月07日 台湾-中国
2018 7th International Symposium on Next Generation Electronics -
2017年05月23日 台湾-中国 Keelung
2017 6th International Symposium on Next Generation Electronics
