GaN纳米线紫外探测薄膜制备及其光电性能研究
张京阳，王如志*，严辉
北京工业大学材料与制造学部新能源材料与技术研究所&新型功能材料教育部重点实验室，北京，100124
*Email: wrz@bjut.edu.cn
GaN 纳米线在新型光电探测、激光及传感等领域具有潜在的应用前景，GaN纳米线可控制备是实现高性能器件应用的关键。本工作中，使用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）制备出具有良好结晶良好结构可控的GaN纳米线，利用GaN纳米线独特的自发极化，并通过GaN纳米线与金属叉指电极制作了MSM型紫外探测器，该紫外传感器具有自供电的特性以及良好紫外光响应性能。我们的工作将为新一代高性能低能耗紫外探测器提供一种新的技术路线与途径。
项目致谢：
国家自然科学基金（No.11774017）
参考文献：
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[4]   Y.-Q. Wang, R.-Z. Wang, Y.-J. Li, Y.-F. Zhang, M.-K. Zhu, B.-B. Wang, and H. Yan, From powder to nanowire: a simple and environmentally friendly strategy for optical and electrical GaN nanowire films, Crystengcomm 15, 1626 (2013).

 

GaN纳米线薄膜,紫外探测,MSM