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SiC光触发多门极开关在电磁聚变驱动装置中的关键技术挑战与机理探索
编号：180 访问权限：仅限参会人 更新：2025-04-08 10:57:05 浏览：14次 张贴报告

报告开始：暂无开始时间（Asia/Shanghai）

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摘要
摘要：针对电磁驱动聚变大科学装置对高功率开关器件长寿命、高可靠性的迫切需求，本研究提出基于碳化硅（SiC）材料的光触发多门极高功率开关创新设计。通过光触发门极精细化设计，研发出新型SiC基开关器件，其性能较传统光触发晶闸管显著提升：在6 kV加载电压下实现1.41 kA输出电流及23 kA/μs的电流上升率。实验发现该器件在特定工况下呈现独特的"双峰"电流输出特性，与硅基器件存在本质差异，研究表明这一现象源于SiC与Si材料在常温下光触发导通机理的根本性区别。研究成果为可控核聚变驱动系统提供了具有高功率容量、超长寿命特征的新型固态开关解决方案，对突破现有气体开关的技术瓶颈具有重要工程价值。
关键词
碳化硅（SiC）,光触发半导体开关,电磁聚变装置,宽禁带半导体导电机理
报告人
傅翔
无 中国工程物理研究院流体物理研究所

稿件作者
傅翔 中国工程物理研究院流体物理研究所
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重要日期

  • 会议日期

    05月12日

    2025

    至

    05月15日

    2025

  • 03月26日 2025

    初稿截稿日期

  • 04月30日 2025

    提前注册日期

  • 05月15日 2025

    注册截止日期

主办单位
北京应用物理与计算数学研究所
陕西师范大学
承办单位
陕西师范大学
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