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基于SOI BCD工艺的COTS器件单粒子闩锁防护技术研究
编号：103
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更新：2026-11-09 11:22:13 浏览：6次
口头报告
报告开始：暂无开始时间（Asia/Shanghai）
报告时间：暂无持续时间
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摘要
基于SOI BCD工艺提出了一款单粒子闩锁防护芯片，该 LCL 将共漏背靠背NMOS 主功率器件、电流检测电路、过流阈值产生电路、栅极驱动电路和控制逻辑集成于同一芯片中。电路持续监测负载电流,当异常电流超过设定阈值并达到过流确认时间后，控制逻辑关断主功率器件，并在预设断电保持时间结束后尝试自动恢复供电。在0.9–5 V设计输入电压范围和0.15–5 A测试负载电流范围内，主供电通路的等效导通电阻为48–57 mΩ。电流检测误差不超过6.5%。过流阈值、过流确认时间、重启时间均可调。评估该防护芯片的单粒子响应。采用LET为86.29 MeV·cm²/mg的181Ta离子，对该芯片 开展25、175和225 ℃的重离子辐照。结果表明所测条件下未见SEL，辐照后功能正常、阈值轻微偏移。
关键词
单粒子闩锁；商用现货；高温；重离子辐照；单粒子闩锁防护
报告人
郭丰谦
博士研究生 Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences稿件作者
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重要日期
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会议日期
11月27日
2026
至11月30日
2026
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09月20日 2026
报告提交截止日期
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11月13日 2026
初稿截稿日期
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11月30日 2026
注册截止日期
主办单位
中国空间科学学会空间探测专业委员会
承办单位
中国科学院近代物理研究所
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