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基于度量集的GaN HEMT辐照漏电退化表征方法研究
编号：104
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更新：2026-11-09 11:22:33 浏览：7次
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报告开始：暂无开始时间（Asia/Shanghai）
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摘要
针对深低温下重离子辐照引起氮化镓高电子迁移率晶体管栅漏漏电退化的机理不明、且现有分析多停留于定性对比的问题，本文提出一套面向该退化的表征方法：以 GaN器件为对象开展氪重离子辐照实验，以时间常数谱为理论出发点，将去陷阱瞬态写成指数弛豫的积分，把漏电回落过程转化为陷阱在时间常数轴上的分布，据此反演陷阱能级与场响应，并构建覆盖谱宽、峰位、幅度、标度、能级与场响应的六维度量集，该方法以“谱展宽＋场敏感化”为核心判据，建立了一条从瞬态漏电到陷阱量、再到退化定量表征的可复用路径，可为氮化镓器件在深空低温环境中的辐照可靠性评估提供依据，并可用于低温原位测试结果的边界修正。
关键词
氮化镓，重离子辐照，时间常数谱，度量集，深空探测
报告人
祁子洋
博士生 哈尔滨工业大学稿件作者
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重要日期
-
会议日期
11月27日
2026
至11月30日
2026
-
09月20日 2026
报告提交截止日期
-
11月13日 2026
初稿截稿日期
-
11月30日 2026
注册截止日期
主办单位
中国空间科学学会空间探测专业委员会
承办单位
中国科学院近代物理研究所
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