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CMOS图像传感器单粒子效应辐照实验研究
编号：98
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更新：2026-11-09 11:18:53 浏览：1次
特邀报告
报告开始：暂无开始时间（Asia/Shanghai）
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摘要
本摘要主要以航天领域广泛应用的6T背照钉扎光电二极管（PPD）CIS为研究对象，较系统的介绍了在国内辐射模拟实验装置上开展的CIS单粒子效应辐照实验研究。在西安质子重离子应用装置（XiPAF）上分别开展了重离子和质子辐照CIS诱发单粒子效应实验；在中国科学院近代物理研究所重离子加速器上分别开展了微束和宽束重离子辐照CIS诱发单粒子效应实验；在中国散裂中子源（CSNS）大气中子辐照谱仪（ANIS）上开展了中子辐照CIS诱发单粒子效应实验。通过对重离子、质子、中子辐照CIS的暗场图像进行原位在线实时采集，获取了辐照诱发CIS诱发SEE的典型实验现象和规律，对比了重离子、质子、中子辐照CIS诱发SEE的异同性，比较了CIS不同积分时间、不同辐照注量率、不同输出增益对单粒子瞬态效应的影响，阐明了重离子、质子、中子辐照诱发SEE对CIS暗信号尖峰（亮点、亮斑、亮线）产生的物理机制。
关键词
CMOS图像传感器,单粒子效应,辐照实验,空间辐射效应
报告人
王祖军
研究员 西北核技术研究院稿件作者
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重要日期
-
会议日期
11月27日
2026
至11月30日
2026
-
09月20日 2026
报告提交截止日期
-
11月13日 2026
初稿截稿日期
-
11月30日 2026
注册截止日期
主办单位
中国空间科学学会空间探测专业委员会
承办单位
中国科学院近代物理研究所
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