重离子诱发的单粒子烧毁（Single-Event Burnout, SEB）严重制约GaN功率器件的空间应用。为阐明700V混合漏极嵌入式栅注入晶体管（Hybrid-Drain-Embedded Gate-Injection Transistors, HD-GITs）的单粒子烧毁机制，本文结合线性能量转移（Linear Energy Transfer, LET）为86 MeV·cm²/mg的Ta离子辐照实验与TCAD仿真开展研究。结果表明，在关态偏置下，被测器件在漏极电压低至100V时即发生单粒子烧毁，表现为栅极电流与漏极电流同步阶梯式上升。仿真进一步证实，关态电场峰值所在的漏侧栅边缘是重离子入射的最敏感位置。本文揭示了一种两阶段单粒子烧毁机理：第一阶段，重离子诱生的空穴在栅极下方积累，在AlGaN势垒层（5.16 MV/cm）与GaN沟道层（3.54 MV/cm）中诱发局域强电场；第二阶段，高能电子的碰撞电离效应与高漏极偏压相耦合，触发漏极一侧p-GaN区的空穴注入，进而形成横向寄生PNP双极晶体管。该寄生晶体管工作在有源放大区，产生大的栅漏瞬态电流，最终导致器件烧毁。与传统GaN HEMT背沟道效应和寄生NPN效应的烧毁机制不同，HD-GITs的单粒子烧毁由混合漏极诱发的寄生PNP放大效应驱动。研究结果可为航天电源系统中抗辐射HD-GIT的设计提供物理层面的指导。
 

氮化镓功率器件，辐射效应，单粒子烧毁，寄生PNP放大效应