中国站
国际站
软件
办会软件
网络研讨会
视频会议
虚拟会议
机构版
下载与演示
会议
专业分类
报告频道
索引
服务
创建活动
讲座
研讨会/课程
会议
登录
注册
艾会网学术会议报告库
报告类型
口头报告
张贴报告
特邀报告
主旨报告
演示
欢迎辞
闭幕辞
总结
工作会议
课程
Extended type 1
Extended type 2
Extended type 3
致辞
报告标题
报告人姓或名
报告人单位
报告活动内ID
系统ID
Single-Pulse Avalanche Failure Characterization of Single and Paralleled SiC MOSFETs
IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia
Mao Hua
Chongqing university
P /P4
2021年08月27日 12:15~12:20
公开
张贴报告
DC Transform Circuit Design Based on Multiplier Rectification
IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia
Yin Penghui
Huazhong University of Science and Technology,State Key Laboratory of Advanced Electromagnetic Engineering and Technology
P /P5
2021年08月27日 13:05~13:10
公开
张贴报告
The Influence of Gate Resistances on the Turn-on Behaviors of Si/SiC Hybrid Switch
IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia
Jiang Xiaofeng
Chongqing university
P /P3
2021年08月27日 12:20~12:25
公开
张贴报告
An Optimal Design Scheme of Intermediate Bus Voltage for two-stage LLC Resonant Converter Based on SiC MOSFET
IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia
wang feng
Huazhong University of Science and Technology,State Key Laboratory of Advanced Electromagnetic Engineering and Technology
P /P2
2021年08月27日 12:50~12:55
公开
张贴报告
An Improved Desaturation Protection Method with Self-Adaptive Blanking-Time for Silicon Carbide (SiC) Power MOSFETs
IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia
Li Jiawei
Huazhong University of Science and Technology
P /P4
2021年08月27日 12:05~12:10
公开
张贴报告
A Compact 175℃ High Temperature Gate Driver with Isolated Power Supply and Advanced Protection for HybridPACK Drive SiC Power Module
IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia
Qian Cheng
Huazhong University of Science and Technology
P /P2
2021年08月27日 12:45~12:50
公开
张贴报告
650V 4H-SiC VDMOS with Additional N Region_A Simulation Study
IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia
Gao Xiuxiu
CORESING SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO . LTD
P /P1
2021年08月27日 12:20~12:25
公开
张贴报告
Datasheet Driven Turn Off Overvoltage Prediction for Silicon Carbide Power MOSFETs Based on Theoretical Analysis
IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia
Qian Cheng
Huazhong University of Science and Technology
Room1 /S1&S2
2021年08月27日 08:30~08:45
仅限参会人
口头报告
界面间润滑油热驱蠕爬特性研究
第十五届全国摩擦学大会暨全国青年摩擦学学术会议
戴 庆文
南京航空航天大学
暂无会场信息
仅限参会人
口头报告
虚拟挡边(VRB)轴承的减摩机理及应用研究
第十五届全国摩擦学大会暨全国青年摩擦学学术会议
刘 成龙
青岛理工大学
暂无会场信息
仅限参会人
口头报告
44084 条记录 3810/4409页
上一页
|<
上5页
3806
3807
3808
3809
3810
下一页
>|
移动端
在手机上打开
小程序
打开微信小程序
客服
扫码或
点此
咨询